探測(cè)器

美國Amptek X-55 Si-PIN探測(cè)器，整體

l Be窗厚度:1mil

l 晶體面積:25mm 2

l 信號(hào)處理系統(tǒng):DP5

l 最佳分辨率:145eV

高壓電源

l 輸出電壓：0~50kV

l 燈絲電流：0~2mA

l 最大功率：50W

l 8小時(shí)穩(wěn)定性：0.05%

射線管

l 輸出電壓：0~50kV

l 燈絲電流：0~2mA

l 最大功率：50W

l 靶    材：Mo

l Be窗厚度：0.2mm

l 使用壽命：2萬小時(shí)

準(zhǔn)直器

l 多種濾光片、準(zhǔn)直器自動(dòng)切換

l 光斑大行屎桶?。?/span>Φ0.1mm就能壓製、Φ0.3mm、Φ0.7mm不同需求、Φ1.2mm業務指導、Φ2.0mm、Φ5.0mm發展空間、Φ7.0mm創造性。可任選4種X射線光斑

樣品倉大小

l 樣品倉大小可定制！

外形尺寸 ：510mm×380mm×395mm（H）

樣品倉尺寸 ：360mm×330mm×80 mm（H）

精密度（EC-681K）

Pb ≤ 5ppm就此掀開，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 7ppm, Cr ≤ 6ppm, Cd ≤ 5ppm

準(zhǔn)確度（EC-681K）

Pb ≤ 7ppm能力，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 5ppm, Cr ≤ 3ppm, Cd ≤ 4ppm

檢出限

對(duì)聚合物材料：Pb ≤ 5ppm，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 5ppm, Cr ≤ 5ppm, Cd ≤ 5ppm總之；

對(duì)銅基體材料：Pb ≤ 20ppm

鍍層：0.003um-40um

測(cè)量時(shí)間

15-240 秒（軟件可自動(dòng)調(diào)整）

測(cè)試元素范圍

測(cè)試元素范圍：S-U中的元素長足發展。

ROHS限定有害元素：鉛（Pb），汞(Hg)足了準備，鎘(Cd)規模設備，鉻(Cr6+)，多溴聯(lián)苯(PBBS)穩步前行，多溴二苯醚(PBDE) + 鹵素至關重要。

玩具指令：鉛（Pb），汞(Hg)指導，鎘(Cd)建設項目，鉻(Cr)，銻（Sb）服務品質，砷(As)傳遞，鋇(Ba)，硒(Se).

合金：銅材過程，鐵合金的發生，鎳合金融合，錫合金，鈦合金講道理，貴金屬等引領。

鍍層：Ag/Sn/Au/Ni-Cu, Cr/Zn/Ni/Ag-Fe。

檢測(cè)范圍

1ppm-99.99%

測(cè)試樣品類型

固體更加廣闊、粉末和液體

CCD觀察

500萬像素高清CCD

輸入電源

AC220V～240V，50/60Hz

工作環(huán)境溫度

溫度15-35℃

工作環(huán)境相對(duì)濕度

≤85%（不結(jié)露）

重量

約35Kg