探測(cè)器

美國(guó)Amptek X-55 Si-PIN探測(cè)器多種，整體

l Be窗厚度:1mil

l 晶體面積:25mm 2

l 信號(hào)處理系統(tǒng):DP5

l 最佳分辨率:145eV

高壓電源

l 輸出電壓：0~50kV

l 燈絲電流：0~2mA

l 最大功率：50W

l 8小時(shí)穩(wěn)定性：0.05%

射線管

l 輸出電壓：0~50kV

l 燈絲電流：0~2mA

l 最大功率：50W

l 靶    材：Mo

l Be窗厚度：0.2mm

l 使用壽命：2萬小時(shí)

準(zhǔn)直器

l 多種濾光片發行速度、準(zhǔn)直器自動(dòng)切換

l 光斑大小：Φ0.1mm強大的功能、Φ0.3mm積極拓展新的領域、Φ0.7mm、Φ1.2mm與時俱進、Φ2.0mm應用、Φ5.0mm、Φ7.0mm更優質。可任選4種X射線光斑

樣品倉大小

l 樣品倉大小可定制動力！

外形尺寸 ：510mm×380mm×395mm（H）

樣品倉尺寸 ：360mm×330mm×80 mm（H）

精密度（EC-681K）

Pb ≤ 5ppm，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 7ppm, Cr ≤ 6ppm, Cd ≤ 5ppm

準(zhǔn)確度（EC-681K）

Pb ≤ 7ppm法治力量，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 5ppm, Cr ≤ 3ppm, Cd ≤ 4ppm

檢出限

對(duì)聚合物材料：Pb ≤ 5ppm長期間，Hg ≤ 5ppm, Br ≤ 5ppm, Cr ≤ 5ppm, Cd ≤ 5ppm；

對(duì)銅基體材料：Pb ≤ 20ppm

鍍層：0.003um-40um

測(cè)量時(shí)間

15-240 秒（軟件可自動(dòng)調(diào)整）

測(cè)試元素范圍

測(cè)試元素范圍：S-U中的元素技術研究。

ROHS限定有害元素：鉛（Pb）是目前主流，汞(Hg)，鎘(Cd)現場，鉻(Cr6+)便利性，多溴聯(lián)苯(PBBS)，多溴二苯醚(PBDE) + 鹵素高質量。

玩具指令：鉛（Pb）信息化，汞(Hg)，鎘(Cd)可靠，鉻(Cr)，銻（Sb），砷(As)我有所應，鋇(Ba)深刻認識，硒(Se).

合金：銅材，鐵合金管理，鎳合金新型儲能，錫合金，鈦合金應用提升，貴金屬等不同需求。

鍍層：Ag/Sn/Au/Ni-Cu, Cr/Zn/Ni/Ag-Fe業務指導。

檢測(cè)范圍

1ppm-99.99%

測(cè)試樣品類型

固體、粉末和液體

CCD觀察

500萬像素高清CCD

輸入電源

AC220V～240V發展空間，50/60Hz

工作環(huán)境溫度

溫度15-35℃

工作環(huán)境相對(duì)濕度

≤85%（不結(jié)露）

重量

約35Kg